C30B9/00使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长（用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；用区域熔融法的入C30B 13/00；晶体提拉法入C30B 15/00；在浸入的晶种上的入C30B 17/00；液相外延生长法入C30B 19/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕