分类号描述

• 化学;冶金

• C30晶体生长〔3〕 查询
• C30B单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 查询
• C30B1/00直接自固体的单晶生长（共析材料的定向分层入C30B 3/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 查询
• C30B11/00正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 查询
• C30B13/00区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕 查询
• C30B15/00熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 查询
• C30B17/00生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法（C30B 15/00优先）〔3〕 查询
• C30B19/00液相外延层生长〔3〕 查询
• C30B21/00共晶材料的定向凝固〔3〕 查询
• C30B23/00冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕 查询
• C30B25/00反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 查询
• C30B27/00保护流体下的单晶生长〔3〕 查询
• C30B28/00制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 查询
• C30B29/00以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料 〔3，5〕 查询
• C30B3/00共析材料的定向分层〔3〕 查询
• C30B30/00利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 查询
• C30B31/00单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置〔3，5〕 查询
• C30B33/00单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先） 〔3，5〕 查询
• C30B35/00未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置〔3，5〕 查询
• C30B5/00凝胶的单晶生长（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 查询
• C30B7/00常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长（用熔融溶剂的入C30B 9/00）；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 查询
• C30B9/00使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长（用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；用区域熔融法的入C30B 13/00；晶体提拉法入C30B 15/00；在浸入的晶种上的入C30B 17/00；液相外延生长法入C30B 19/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 查询