C23对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
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C23C对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(在表面上使用液体或其他流体材料的一般涂覆入B05;挤压法制造包覆金属的产品入B21C 23/22;通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置,例如B21D 39/00,B23K;采用电极并通过作用于工件的高度集中电流加工金属入B23H;玻璃的金属化入C03C;砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B 41/00;涂料、合成漆、天然漆入C09D;金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入C23D;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制入C23F;用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D、C25F;单晶膜生长入C30B;纺织品的金属化入D06M 11/83;用局部金属化法装饰纺织品入D06Q 1/04;一般扫描探针细节入G01Q;半导体器件的制造入H01L;印刷线路的制造入H05K)〔4〕
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C23C10/00金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗〔4〕
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C23C12/00金属材料表面中至少渗入一种硅以外的非金属元素及至少一种金属元素或硅的固渗〔4〕
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C23C14/00通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆(附有放电作用物体或材料引入装置的放电管本身入H01J 37/00)〔4〕
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C23C16/00通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积(CVD)工艺(反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00)〔4〕
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C23C18/00通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆(表面化学反应的入C23C 8/00、C23C 22/00);接触镀〔4〕
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C23C2/00用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺;其所用的设备〔4〕
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C23C20/00通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆(表面化学反应的入C23C 8/00、C23C 22/00)〔4〕
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C23C22/00表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化(蚀洗用涂料入C09D 5/12)〔4〕
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C23C24/00自无机粉末起始的镀覆(熔融态覆层材料的喷镀入C23C 4/00;固渗入C23C 8/00至C23C 12/00;金属粉末烧结法制造复合层、工件或制品入B22F 7/00;摩擦焊入B23K 20/12)〔4〕
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C23C26/00不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆〔4〕
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C23C28/00用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大组中单一组的方法,或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆〔4〕
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C23C30/00仅以金属材料组成为特征的金属材料镀覆,即不以镀覆工艺为特征(C23C 26/00、C23C 28/00优先)〔4〕
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C23C4/00熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆(堆焊接入B23K,例如B23K 5/18,B23K 9/04;喷枪入B05B;通过金属的热喷镀制备含纤维或丝的合金入C22C 47/16;等离子枪入H05H)〔4〕
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C23C6/00基体上浇铸熔融材料的镀覆〔4〕
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C23C8/00金属材料表面中仅渗入非金属元素的固渗(渗硅入C23C 10/00);材料表面与一种活性气体反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理法,例如转化层、金属的钝化(C23C 14/00优先)〔4〕
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